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昇陽半導體對宜特提告專利侵權

2019/09/17 17:45

宜特(3289)去年宣布跨足晶圓薄化等金氧半場效電晶體(MOSFET)後段製程整合服務,卻惹來挨告。(記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕宜特(3289)去年宣布跨足晶圓薄化等金氧半場效電晶體(MOSFET)後段製程整合服務,卻惹來挨告,再生晶圓廠昇陽半導體 (8028)今宣布向智慧財產法院對宜特提起專利侵權訴訟,主要因宜特的晶圓薄化製程涉嫌侵權,請求法院裁判宜特賠償損失,且不得使用相關專利。

 宜特主要服務電子產品驗證為主,去年年中宣布正式跨入晶圓薄化等MOSFET後段製程整合服務,並於去年下半年逐季放量。

 昇陽半導體今表示,宜特的晶圓薄化製程涉嫌侵犯到該公司發明專利,公司已向智慧財產法院對宜特提起專利侵權訴訟,請求法院裁判宜特賠償公司所受損失,且不得使用跟昇陽有關的專利。昇陽半導體並呼籲各界共同尊重及維護智慧財產權。

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