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中國官媒《新華社》17日曾報導，三星（中國）半導體有限公司副總裁池賢基受訪透露，三星將在其西安的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片廠投資超過140億美元（約新台幣4391億元），但南韓三星對《新華社》的報導表示否認，稱尚未決定對中國西安的NAND晶片廠房進行額外投資。（美聯社）
〔財經頻道／綜合報導〕中國官媒《新華社》17日曾報導，三星（中國）半導體有限公司副總裁池賢基受訪透露，三星將在其西安的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片廠投資超過140億美元（約新台幣4391億元），但南韓三星對《新華社》的報導表示否認，稱尚未決定對中國西安的NAND晶片廠房進行額外投資。
《路透》17日報導，南韓三星聲明表示，該公司並未如《新華社》報導，將投資西安NAND廠2期項目140億美元，稱其「對第2條生產線的第2期投資額尚未確定，將視市場情況而定」。
科技研究公司TrendForce則在本月初的報告中表示，快閃記憶體價格去年大幅下跌，許多NAND晶片供應商正在放緩擴張計畫，並宣布減產以減少供應。
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