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〔記者陳炳宏／台北報導〕新思科技宣布，設計平台（Design Platform）已通過台積電7奈米FinFET Plus製程技術最新設計規則手冊（Design Rule Manual，DRM）的認證。台積電的該項認證已經過多次測試晶片投片，及多家客戶正進行生產設計（production design）開發的採用，協助加速實現使用新思設計平台的晶片設計，其中包含各種高效能運算、高密度到低功耗的行動應用（mobile applications）。
新思科技表示，這項認證對台積電極紫外光微影（extreme ultraviolet lithography ，EUV）製程來說是一大里程碑，與非EUV製程節點相較，除了能大幅縮小晶片面積外，還能維持高效能。
新思科技表示，設計平台以Design Compiler Graphical synthesis以及 IC Compiler II 佈局繞線工具為主軸，經優化後能充分利用台積電7奈米FinFET Plus製程的優勢，實現高效能設計。
台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示，與新思科技的持續合作，在7奈米FinFET Plus製程技術的初期便有客戶一同參與，因此得以開發出具差異性的平台解決方案，協助雙方客戶將創新產品快速推向市場。新思科技設計平台通過認證，讓雙方客戶的設計產品得以在我們第一次量產的EUV製程技術中實現。
新思科技設計事業群行銷暨業務開發副總裁Michael Jackson則表示，與台積電在7奈米FinFET Plus製程的晶圓量產緊密合作，讓客戶能使用具備高度差異化的新思科技設計平台，著手進行日益增大的SoC和多裸晶晶片（multi-die chip）的設計，而通過台積公司7奈米FinFET Plus製程的認證，讓我們的客戶能受惠於先進EUV製程在功耗、效能及面積的精進表現，同時加速差異化商品的上市時程。
新思科技設計平台獲台積電高效能7奈米FinFET Plus製程技術的認證。（資料照）
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