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晶圓代工廠聯電今宣布0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體Bipolar CMOS DMOS （BCD） 製程技術平台已通過業界最嚴格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子矽晶片驗證。（資料照，記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠聯電今宣布0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體Bipolar CMOS DMOS （BCD） 製程技術平台已通過業界最嚴格的AEC-Q100 Grade-0 車用電子矽晶片驗證。
聯電表示，述製程方案包含符合車用標準的FDK及矽智財解決方案，可用於車用電子的應用晶片如電源管理晶片進行量產。成功通過車規驗證的製程方案後，聯電所製造的車用電子晶片即可滿足用於高溫環境下高可靠性車輛應用最嚴格的需求。這是繼成功量產AEC-Q100 Grade-1規格標準之產品後，再創另一技術發展的新里程碑。
聯電企業行銷資深副總簡山傑表示：「車用電子的矽晶片含量，隨著包括先進駕駛輔助系統（ADAS）、資訊娛樂系統及導航系統等電子元件持續演進而急遽攀升。大眾近來對於排放減量與能源效率有更高的期待，進而推升更先進的電源電子科技與元件的需求。此類科技與元件需要更嚴格的AEC-Q100 Grade-0製造標準，才能符合高溫、零缺失的需求。聯電以其0.18微米 BCD 製程，成為少數符合 AEC-Q100 Grade 1 & 0 半導體產品規範的晶圓廠，我們盼望能協助更多晶圓廠客戶進入蓬勃發展的車用晶片市場。」
聯電表示，該公司已成功擠身為車用晶片供應商之列，並為第一家通過 ISO 22301 營運持續管理認證的晶圓廠，同時實施全面性的「車用服務計畫」，將零缺陷做法導入製程協助客戶滿足車用晶片的里程碑。此外，聯電提供全面的 Grade-0 矽智財，包括已經過車用晶片產品中矽晶驗證的標準元件庫、SRAM、OTP/MTP/eFuse。這些由聯電製造的晶片已獲日本、歐洲、亞洲、美國等地的全球知名車廠廣泛採用。
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